近日，有報道(dào)稱，爲了發(fā)展新一代功率半導體，韓國(guó)30家本土半導體企業以及大學(xué)和研究所將(jiāng)于4月14日組建碳化矽産業聯盟，以應對(duì)急速增長(cháng)的碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）等寬禁帶半導體所引領的新型功率半導體市場，從而形成(chéng)韓國(guó)本土碳化矽生态圈。

據悉，聯盟内的30家韓國(guó)功率半導體企業將(jiāng)共同參與材料、零部件、設備用功率半導體的開(kāi)發(fā)，培育與碳化矽半導體相關的材料、零部件和設備企業的發(fā)展。其中，LX Semicon將(jiāng)負責研發(fā)碳化矽半導體，SK siltron則負責碳化矽襯底，Hana Materials和STI將(jiāng)研發(fā)碳化矽半導體零件和設備技術。

嘉泉大學(xué)、光雲大學(xué)和國(guó)民大學(xué)將(jiāng)支持碳化矽半導體研發(fā)基礎設施，國(guó)立納米材料研究所和韓國(guó)陶瓷工程技術研究所將(jiāng)提供技術支持。

賽迪顧問集成(chéng)電路中心高級咨詢顧問池憲念向(xiàng)《中國(guó)電子報》記者介紹到，矽材料已經(jīng)受技術瓶頸和研制成(chéng)本劇增等因素影響，正逼近極限。碳化矽由于其化學(xué)性能(néng)穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能(néng)好(hǎo)、硬度高等特性，使其被(bèi)稱爲“理想器件”，也是當前寬禁帶半導體中的應用場景最爲廣範的。目前碳化矽器件在EV/HEV上應用主要是功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等方面(miàn)。全球各國(guó)都(dōu)在争相研究，進(jìn)度也是突飛猛進(jìn)，其中在半導體領域，以占領材料和元器件爲主的日本，更是下足了功夫。

除了日本企業以外，Cree、英飛淩、意法半導體、安森美等國(guó)際知名半導體企業也在全球範圍内布局寬禁帶半導體，增長(cháng)勢頭迅猛，目前寬禁帶功率半導體市場主要由德國(guó)、美國(guó)和日本的半導體公司主導。韓國(guó)多家企業此時(shí)組建碳化矽聯盟開(kāi)始大力發(fā)展，目的是爲了搶占本土寬禁帶功率半導體市場，以免受制于人。

中國(guó)目前同樣(yàng)面(miàn)臨相同的處境，我國(guó)擁有全球最大的功率半導體市場，在約500億美元的全球功率半導體市場中，中國(guó)市場貢獻了35%~40的份額。對(duì)于中國(guó)企業而言，日益擴大的國(guó)内碳化矽市場，無疑爲其發(fā)展提供了更爲廣闊的發(fā)展空間。

北京半導體行業協會(huì)副秘書長(cháng)朱晶向(xiàng)《中國(guó)電子報》記者指出，一段時(shí)期以來，國(guó)内寬禁帶半導體在器件開(kāi)發(fā)、産能(néng)建設、制備技術、應用推廣等領域取得了一定的進(jìn)展，初步形成(chéng)了技術和産業體系。但在産業規模和産品競争力上，仍與國(guó)際先進(jìn)水平存在差距。朱晶建議，在碳化矽襯底材料和外延等基礎環節，加快建立适應國(guó)内最終需求的集成(chéng)電路供給體系，優化生态環境，形成(chéng)超大規模市場與供給能(néng)力提升之間的良性循環。